Omni 下一代石英晶体微天平
Core One下一代扩展版石英晶体微天平
Pro 八通道全自动石英晶体微天平
Analyzer 卓越版四通道石英晶体微天平
Explorer 扩展版石英晶体微天平
High Pressure 高温高压石英晶体微天平
电化学模块
椭偏联用模块
流动模块
湿度模块
开放模块
窗口模块
PTFE流动模块
ALD模块
矿物浮选模块
低温真空模块
芯片
高温样品台
耗材
温度控制配件
配件样品台
进样泵
芯片配件
Langmuir&LB膜分析仪
Roll to Roll 柔性LB膜制备
纳米颗粒沉积
小型布鲁斯特角显微镜
界面剪切流变仪 ISR Flip
表面电位测量仪
Theta Flow
Theta Flex
Theta Flow 高压模块
Theta Lite
Theta Flow 形貌模块
Theta Wafer
Sigma Peak
Sigma Solo
Sigma Transformer Oil
Sigma Base
QSense 耗散型石英晶体微天平(QCM-D)
实时表/界面痕量物质原位表征系统
QSense® Explorer 扩展版石英晶体微天平QCM-D
产品配置:模块化原位界面表征平台体统,支持电化学、光学窗口、椭偏、PTFE、高温、湿度、ALD、开放等多模块快速切换,实现多技术原位同步耦合测试。
实时表/界面痕量物质原位表征系统是一套基于耗散型石英晶体微天平(QCM-D)技术,模块化可替换流动池的原位界面动态分析表征系统,采用开路电压式谐振电路(OCV)检测技术,可原位、实时定量解析固‑液、气‑固界面吸附/脱附动态过程,同步获取界面质量变化、耗散因子、薄膜厚度、粘弹性参数与界面流变特性。
实现多参数联合解析,规避不同样品带来的实验误差。广泛用于电池电极界面、金属腐蚀、电沉积、光催化、光聚合、高分子薄膜、生物分子吸附、涂层材料等领域研究
频率与耗散因子性能
可选功能模块详细介绍
实现 QCM‑D 与电化学(CV、计时电流、EIS 电化学阻抗谱)同步原位联用,适配严苛电化学体系,芯片工作面直接充当三电极体系工作电极。
提供蓝宝石光学窗口,为芯片表面提供光路通路,用于光化学反应、光催化、光聚合实验,可对接普通荧光显微镜,直接观测芯片表面形貌。
实现 QCM‑D 与椭偏光谱同步原位测量。QCM‑D 测得包含溶剂的湿膜,椭偏测得薄膜干态光学参数,两者结合计算薄膜溶剂含量,解析薄膜溶胀、交联、分子构象变化。
流道金属钛部件全部替换为 PTFE(特氟龙),适配对钛金属敏感的蛋白、特殊化学试剂体系。
无需管路进样,支持移液枪直接滴加样品至芯片表面;配置防挥发上盖,降低溶剂挥发干扰,适合气‑液界面转变过程研究。
通过 Gore 透气薄膜,在芯片上方构建可控水蒸气氛围,用于高分子膜水蒸气吸附‑溶胀、脱附研究。
用于高低气压、真空条件下 QCM‑D 检测,适配原子层沉积 ALD 实验;芯片两侧通气泄压,避免压差损坏石英芯片;最高工作温度 250 ℃,需要设备改装配套。
拓展仪器温度上限,室温基础上最高 + 60 ℃;搭配外置加热冷却平台可实现 4‑150 ℃宽温区实验;内置标准流动模块 QFM401;高温实验需要样品除气、预加热处理,减少气泡干扰。
配套软件 Q‑Soft & Dfind
软件完成仪器硬件控制、原始数据采集、多模型拟合、数据分析、结果导出,覆盖完整实验流程。
配套配件
典型应用方向
产品核心优势