如果你曾经使用过耗散型石英晶体微天平分析仪（QCM-D），那么你一定听说过基线的本体偏移或者缓冲盐效应。
下面我们将介绍什么是基线的本体偏移？它是怎么产生的？以及如何设计实验来尽可能的避免或者对其进行解释说明。
本体偏移的产生起因于本体性质发生了变化
耗散型石英晶体微天平（QCM-D）技术对芯片表面上的介质变化非常灵敏。对于纯的本体溶剂来说，根据公式1和公式2，f和D取决于溶液的密度和剪切粘度。
耗散型石英晶体微天平QCM-D的Δf和ΔD值计算公式
公式中的η和ρ分别为溶液的粘度和密度，h0和ρ0分别为石英晶体的厚度和密度（2.648g/cm3）。介质的改变（如空气变为溶剂、改变缓冲盐的种类、溶剂变为样品等）会使f和D发生偏移，这种现象称之为基线的本体偏移。
溶剂的哪些性质会造成基线的本体偏移？
所有会影响到介质密度和/或粘度的因素都会对耗散型石英晶体微天分析仪（QCM-D）的基线产生影响，如果将某种特定性质的溶剂换成性质稍微不同的溶剂，QCM-D信号上就会有一个台阶状的变化。盐离子浓度和pH值等因素会影响溶剂的性质，也就是说，如果使用的是不同浓度或者不同pH值的缓冲盐，就会产生本体偏移。如果使用的分析物浓度很高（例如蛋白），也会出现本体偏移。
基线的本体偏移是什么样子的？
与大多数吸附过程相比，f和D的本体偏移都是瞬时完成的。通常情况下，它看起来像是f和D的基线发生了变化，而且这种偏移是可逆的，与芯片表面无关。
本体偏移应该如何处理？
有几种方法可以消除或者至少可以减小本体偏移。在有些不可能完全避免的案例中，也有方法可以来解释。
减小本体偏移影响的方法：
结语
所谓的本体偏移是指QCM-D基线即时的、可逆的偏移，这种偏移反映的是芯片上介质改变后本体性质的变化，最典型的例子就是改变缓冲盐。总的来说，本体偏移或多或少是不可避免的，但如果认真设计实验和执行，可以减少其产生和解释其影响。
参考文献
[1] Kanazawa, K. K. and Gordon, J. G., Anal. Chem. 57, 1770 (1985)
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[3] Stockbridge, C. D., in “Vacuum Microbalance Techniques” (Plenum Press, 5, 147 (1966)).
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